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TE信号解读

日期:2024-05-01 22:57
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摘要: TE信号解读 TE(Tearing Effect Signal) 是从TFT控制器到MCU的反馈信号。功能与过去的单色LCD模块的 FLM (First Line Marker)信号类似。 TE信号从TFT控制器发出, 告诉MCU,现在“开始”从一行开始读RAM并显示了。目标是避免TFT控制器读取RAM数据时, MCU却在往同一位置写数据所造成的冲突,此冲突往往造成显示花屏的情况。 TE信号解读——应用情况1 高速MCU 画面帧速 约为 1/60秒 MCU 更新整个帧显示内容的速度 比显示控制器扫...

TE信号解读

TE(Tearing Effect Signal) 是从TFT控制器到MCU的反馈信号。功能与过去的单色LCD模块的 FLM (First Line Marker)信号类似。

TE信号从TFT控制器发出, 告诉MCU,现在“开始”从一行开始读RAM并显示了。目标是避免TFT控制器读取RAM数据时, MCU却在往同一位置写数据所造成的冲突,此冲突往往造成显示花屏的情况。


TE信号解读——应用情况1

  • 高速MCU
  • 画面帧速 约为 1/60秒
  • MCU 更新整个帧显示内容的速度 比显示控制器扫描(读取)一帧快
  • MCU 看到 TE信号时, 便开始更新(写入)显示内容(参考上图红线),
  • 相关更新是不会与显示控制器扫描(读取)RAM(参考上图黑线)产生冲突的
  • 那么画面上是不会因RAM写读冲突而产生显示花屏的情况
  • 注意,相关更新(写入)动作是在显示控制器扫描(读取)刚刚完成时开始

 

TE信号解读——应用情况2

  • 较慢速的MCU
  • 画面帧速 约为 1/60秒
  • MCU 更新整个帧显示内容的速度 比显示控制器扫描(读取)一帧慢
  • MCU 看到 TE信号时,便开始更新显示内容(参考上图蓝线)
  • 只要MCU的更新速度不超过两帧的时间,
  • 是不会与显示控制器扫描(读取)RAM(参考上图黑线)产生冲突的
  • 那么画面上是不会因RAM写读冲突而产生显示花屏的情况
  • 注意,相关更新(写入)动作是在显示控制器扫描(读取)刚刚开始后开始.


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